三星電子：計劃未來10年投資1160億美元研發非內存芯片
作者:時尚 來源:綜合 瀏覽: 【大 中 小】 發布時間:2025-11-22 09:00:08 評論數:
導讀：三星電子計劃在未來10年左右投資133萬億韓元（1160億美元），星電芯片以取代英特爾和高通在制造先進芯片處理器（非內存芯片研發和生產基礎設施）方面在全球的計劃領先地位，加快對全球半導體行業的未年西安外圍(外圍聯系方式)(電話微信181-8279-1445)全國1-2線熱門城市高端外圍預約快速安排30分鐘到達控制。
4月25日，投資據彭博社消息，億美元研三星電子計劃在未來10年左右投資133萬億韓元（1160億美元），發非以取代英特爾和高通在制造先進芯片處理器（非內存芯片研發和生產基礎設施）方面在全球的內存領先地位，加快對全球半導體行業的星電芯片控制。三星目前在從服務器到智能手機的計劃西安外圍(外圍聯系方式)(電話微信181-8279-1445)全國1-2線熱門城市高端外圍預約快速安排30分鐘到達存儲芯片市場處于領先地位，它計劃在2030年前加大對半導體的未年投資，創造15000個生產和研究工作崗位。投資
今年3月，億美元研三星公布第三季度的發非營業利潤下降了60%。這至少部分與DRAM和NAND內存的內存價格暴跌以及智能手機銷量的下滑有關。因此三星準備投入巨資1160億美元，星電芯片以確保其為下一代芯片的發展做好準備，其中國內研發投入約640億美元，生產基礎設施投入520億美元。三星在一份聲明中說：“這項投資計劃有望幫助三星在2030年實現邏輯芯片領域成為世界領先者的目標。”
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