三星電子Foundry代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022年半導體EUV全球生態系統會議”上發表了演講。工市

    他表示，場年到2026年，將達杭州同城上門外圍上門外圍女（微信156-8194-*7106）提供頂級外圍女上門，可滿足你的一切要求全球3納米工藝節點代工市場將達到242億美元規模，億美元規較今年的工市12億美元增長將超20倍。

    目前，場年三星電子是將達唯一一家宣布成功量產3納米芯片的公司，隨著三星電子、億美元規臺積電、工市杭州同城上門外圍上門外圍女（微信156-8194-*7106）提供頂級外圍女上門，可滿足你的一切要求英特爾等半導體大廠開始引進EUV設備，場年工藝技術不斷發展，將達預計3納米工藝將成為關鍵競爭節點。億美元規

    根據Gartner數據，工市截至今年年底，場年在晶圓代工市場中占據最大份額的將達是5納米和7納米工藝，市場規模369億美元，未來其份額將逐步由3納米所取代。他表示，“隨著14納米FinFET工藝的推出，三星電子已經上升到代工市場的第二位。”

    據稱，3納米節點需要新的器件結構以提升性能，率先實現量產3nm工藝的三星使用了環柵（GAA）晶體管結構的MBCFET技術，較FinFET性能功耗有明顯改善。

    “就FinFET而言，性能隨著引腳數量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因為它們在相似的水平上提高了性能和功率。”

    具體來說，在FinFET技術中性能提升1.3倍但功耗也會隨著上漲2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍時，功耗只會增加1.6倍，相對來說效率更高。

(責任編輯：知識)