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時間:2025-11-22 13:12:56 來源:網絡整理 編輯:探索
英特爾正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標,目前,Intel 7,采用EUV極紫外光刻)技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。正在順利推進中的Intel 揚州美女兼職外圍上門外圍女(電話微信181-2989-2716)一二線城市預約、空姐、模特、留學生、熟女、白領、老師、優質資源
英特爾正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的英特目標,目前,爾推Intel 7,進面節點揚州美女兼職外圍上門外圍女(電話微信181-2989-2716)一二線城市預約、空姐、模特、留學生、熟女、白領、老師、優質資源采用EUV(極紫外光刻)技術的向未新年先性Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。正在順利推進中的術創Intel 20A和Intel 18A兩個節點,將繼續采用EUV技術,后鞏并應用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術,固制助力英特爾于2025年重奪制程領先性。程領

在“四年五個制程節點”計劃之后,英特爾將繼續采用創新技術推進未來制程節點的爾推開發和制造,以鞏固制程領先性。進面節點High NA EUV技術是向未新年先性EUV技術的進一步發展,數值孔徑(NA)是術創衡量收集和集中光線能力的指標。通過升級將掩膜上的后鞏電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統,High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率,固制從而有助于晶體管的進一步微縮。
作為Intel 18A之后的下一個先進制程節點,Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。此外,英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數個演化版本,以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管,在集成High NA EUV光刻技術的同時,英特爾也在同步開發新的晶體管結構,并改進工藝步驟,如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。
將研究成果轉化為可量產、可應用的先進產品,是英特爾50多年來的卓越所在。英特爾將繼續致力于通過創新技術推進摩爾定律,以推動AI和其它新興技術的發展。
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