三星攜手美企SiliconFrontlineTechnology改善3納米良率,希望趕超臺積電

報道中稱,望趕三星電子先進制程良率非常低,超臺自5納米制程開始一直存在良率問題,積電在4納米和3納米工藝上情況變得更加糟糕。星攜據傳三星3納米解決方案制程自量產以來,手美善納良率不超過20%,米良上海美女快餐外圍上門外圍女(電話微信156-8194-*7106)提供1-2線熱門城市快速安排30分鐘到達量產進度陷入瓶頸。率希
三星目前在4納米和5納米工藝節點上出現了與產量有關的望趕問題,該公司不希望這個問題再次出現在3納米工藝上。超臺因此希望通過和SiliconFrontlineTechnology公司合作,積電幫助三星晶圓廠進行前端(front-end)工藝和芯片性能改進。星攜
IT之家了解到,這家美國公司提供芯片鑒定評估和ESD(靜電放電)預防技術。ESD是造成半導體芯片缺陷的主要原因之一,是由制造過程中設備和金屬之間的摩擦造成的。據報道,三星在芯片設計和生產過程中已經與SiliconFrontline公司合作了很長時間,并取得了令人滿意的結果。該公司現在將在芯片驗證過程中使用該公司的技術。
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